Diode HVM12 là một loại diode silicon chịu điện áp cao

Menu

Diode HVM12-450 là một loại diode silicon chịu điện áp cao, được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch nhanh và khả năng chịu được điện áp ngược cao. Dưới đây là một số đặc điểm chính của nó:

Thông Số Kỹ Thuật Chính:

– Điện Áp Ngược (VR): 12.000 vôn (12 kV)
– Dòng Điện Thuận (IF): Thông thường, dòng điện thuận tối đa khoảng 500 mA, nhưng có thể thay đổi chút ít tùy thuộc vào nhà sản xuất.
– Thời Gian Hồi Phục Ngược (trr): Thường nằm trong khoảng vài nanosecond, làm cho diode này phù hợp với các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.
– Loại Vỏ: Thường có dạng gói dẫn hướng trục (axial-lead), nhưng có thể thay đổi tùy thuộc vào mẫu cụ thể và nhà sản xuất.

Ứng Dụng Thường Gặp:

– Bộ nhân điện áp cao: Sử dụng trong các ứng dụng như màn hình CRT, nguồn laser, và các hệ thống tĩnh điện.
– Chỉnh lưu điện áp cao: Phù hợp với các nguồn cấp điện nơi cần chỉnh lưu điện áp cao.
– Mạch flyback: Thường được sử dụng trong các bộ chuyển đổi flyback nhờ vào thời gian hồi phục nhanh của nó.

Loại diode này chủ yếu được sử dụng trong các mạch điện có điện áp rất cao, nơi các diode thông thường không thể đáp ứng.

Thị trường có sẵn mã CL01-12 350mA phù hợp với công việc.


Có thể dùng 2 con 350mA song song với nhau để thay thế con 450mA

CÁC BÀI VIẾT CÙNG CHỦ ĐỀ